N型ダイアモンド半導体の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997225719
Publication number (International publication number)：1999054443
Application date： Aug. 07, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】リチウムを不純物として導入し、簡便にN型ダイアモンド半導体を形成することができる製造方法を提供する。【解決手段】リチウム化合物溶液の蒸気を含む反応ガスを反応室内に導入し、マイクロ波を印加してプラズマ化したり、あるいは加熱することで、反応ガスを分解し、基板上にリチウムが添加されたダイアモンド膜を析出させる。具体的には、酢酸リチウムエタノール溶液、あるいは酢酸リチウム水溶液の蒸気を含む反応ガスによって、N型ダイアモンド半導体膜を得ることができた。

Claim (excerpt)：

炭素および不純物を含む反応ガスを反応室内に導入し、該反応ガスを分解して、基板上にダイアモンド半導体を析出させる際、リチウム化合物溶液の蒸気を含む反応ガスを前記反応室内に導入し、前記基板上にリチウムが添加されたダイアモンド半導体を析出させることを特徴とするN型ダイアモンド半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C30B 29/04

FI (2)：

H01L 21/205 , C30B 29/04 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-339371 Applicant：キヤノン株式会社
特開平3-205398
光学素子成形用型及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-226493 Applicant：キヤノン株式会社

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