窒化ガリウム結晶の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997090673
Publication number (International publication number)：1998287496
Application date： Apr. 09, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】平坦性、結晶性に優れた窒化ガリウム厚膜結晶を提供する。【解決手段】窒化ガリウム結晶の製造工程に、ガリウムを含むガス雰囲気中でシリコン基板1を加熱する第一の工程と、前記シリコン基板1上に第一の窒化ガリウム3を形成する第二の工程と、前記第一の窒化ガリウム3上に前記第一の窒化ガリウム3の形成温度よりも高温で第二の窒化ガリウム4を形成する第三の工程とを備える。

Claim (excerpt)：

ガリウムを含むガス雰囲気中で基板を加熱する第一の工程と、前記基板上に第一の窒化ガリウムを形成する第二の工程と、前記第一の窒化ガリウム上に前記第一の窒化ガリウムの形成温度よりも高い温度で第二の窒化ガリウムを形成する第三の工程とを有することを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 29/12 , H01S 3/18

FI (4)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01S 3/18 , H01L 29/14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

特開昭52-023600
特開昭55-140799
窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-328221 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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Cited by examiner (11)

特開昭52-023600
特開昭55-140799
窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-328221 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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