半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017396
Publication number (International publication number)：1998284480
Application date： Jan. 29, 1998
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】流動特性を有する絶縁膜上に窒化膜を備えながら、熱履歴に伴う窒化膜のシワやクラックの発生のない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 DRAMセルのトランジスタが形成されたシリコン基板1の上に、第1のBPSG膜8と、その上の支持膜であるシリコン酸化膜9と、シリコン酸化膜9及び第1のBPSG膜8に形成されたコンタクトホールを埋めるコンタクト部10を含む容量電極12と、容量絶縁膜であるシリコン窒化酸化膜14と、プレート電極15とが設けられている。さらに、この上には、第2のBPSG膜も形成される。シリコン窒化膜を酸化して容量絶縁膜を構成するシリコン窒化酸化膜14を形成する際や第2のBPSG膜を流動化させる際に、第1のBPSG膜8が流動しても、シリコン酸化膜9によって容量絶縁膜の変形に抗する応力が与えられるので、シワやクラックのない容量絶縁膜が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体領域を有する基板と、上記半導体領域の上に形成され、所定条件下における熱処理により流動する特性を有する第1の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜の上に形成され少なくとも窒化シリコンを含む第2の絶縁膜と、上記第2の絶縁膜の上下のうち少なくともいずれか一方に形成され、上記熱処理による上記第2の絶縁膜の変形に抗する応力を上記第2の絶縁膜に与える機能を有する支持膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (7)：

H01L 21/316 H , H01L 21/318 B , H01L 27/04 C , H01L 27/04 T , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-354402 Applicant：ヤマハ株式会社
特開昭61-081657
特開昭63-126251

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