Pat
J-GLOBAL ID:200903053841680563

薄型磁気素子およびトランス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996210308
Publication number (International publication number):1998055916
Application date: Aug. 08, 1996
Publication date: Feb. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、薄型化が可能であり、高いインダクタンスと性能係数Qを示し、高周波領域での使用に対応できるとともに、発熱も少ない薄型磁気素子とトランスを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、少なくとも基体の一方の面に形成されたコイルパターンと、このコイルパターン上に形成された磁性薄膜とが具備されてなり、前記磁性薄膜が0.5μm以上、8μm以下の厚さに形成されてなることと、前記コイルパターンを構成するコイル導体の厚さをt、幅をaとした場合のコイル導体のアスペクト比t/aが、0.035≦t/a≦0.35の関係を満足されてなることと、前記コイルパターンを構成するコイル導体の幅をa、コイルパターンにおける隣接するコイル導体間の間隔をbとした場合に、0.2≦a/(a+b)の関係が満足されてなることのうち、少なくとも1つが満足されてなる。
Claim (excerpt):
少なくとも基体の一方の面に形成されたコイルパターンと、このコイルパターン上に形成された磁性薄膜とが具備されてなり、前記磁性薄膜が0.5μm以上、8μm以下の厚さに形成されてなることと、前記コイルパターンを構成するコイル導体の厚さをt、幅をaとした場合のコイル導体のアスペクト比t/aが、0.035≦t/a≦0.35の関係を満足されてなることと、前記コイルパターンを構成するコイル導体の幅をa、コイルパターンにおける隣接するコイル導体間の間隔をbとした場合に、0.2≦a/(a+b)の関係が満足されてなることのうち、少なくとも1つが満足されてなることを特徴とする薄型磁気素子。
IPC (2):
H01F 17/00 ,  H01F 10/14
FI (3):
H01F 17/00 B ,  H01F 17/00 D ,  H01F 10/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page