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J-GLOBAL ID：200903053944439678

シリコンウエーハの表面粗さを改善する方法および表面粗さを改善したシリコンウエーハ

Inventor： 小林 徳弘 ,  角田 均
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997282638
Publication number (International publication number)：1999111674
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコンウエーハのマイクロラフネスとヘイズレベルを同時に改善することができる方法、あるいは少なくともヘイズレベルを悪化させることなくマイクロラフネスを改善できる方法を提供する。そして、これによってシリコンウエーハの表面粗さに起因する、酸化膜耐圧および信頼性試験その他のいずれの電気特性の劣化の問題も生じないシリコンウエーハを得る。【解決手段】 鏡面研磨されたシリコンウエーハを、酸化性雰囲気、1100〜1300°Cで熱処理を行い、該シリコンウエーハ表面に300nm以上の熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜をフッ酸を含む水溶液で除去することを特徴とするシリコンウエーハの表面粗さを改善する方法、およびこの方法により表面粗さを改善したシリコンウエーハ。

Claim (excerpt)：

鏡面研磨されたシリコンウエーハを、酸化性雰囲気で熱処理を行い、該シリコンウエーハ表面に300nm以上の熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜を除去することを特徴とするシリコンウエーハの表面粗さを改善する方法。

IPC (6)：

H01L 21/306 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/316

FI (7)：

H01L 21/306 B ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/306 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-267935
  
• シリコン基板のはり合わせ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-073304   Applicant：ソニー株式会社
• 化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-160484   Applicant：住友金属工業株式会社
• 半導体基体の表面平滑方法及び半導体基体及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-035612   Applicant：サンケン電気株式会社