Pat
J-GLOBAL ID:200903054063609666
製膜方法及びデバイス及び電子機器並びにデバイスの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
渡邊 隆 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002119445
Publication number (International publication number):2003318516
Application date: Apr. 22, 2002
Publication date: Nov. 07, 2003
Summary:
【要約】【課題】 配線パターンの平坦化及び細線化を実現する。【解決手段】 膜形成成分を含有した液状体からなる液滴を基板W上に吐出して膜パターンを形成する吐出工程を有する。基板W上に吐出された液状体の膜形成成分が膜パターンの縁部21に移動するように膜パターンを乾燥させる乾燥工程と、膜形成成分の移動により突出した縁部21、21の間に液滴を吐出する第2吐出工程とを含む。
Claim (excerpt):
膜形成成分を含有した液状体からなる液滴を基板上に吐出して膜パターンを形成する吐出工程を有する製膜方法であって、前記基板上に吐出された液状体の前記膜形成成分が前記膜パターンの縁部に移動するように前記膜パターンを乾燥させる乾燥工程と、前記膜形成成分の移動により突出した前記縁部の間に前記液滴を吐出する第2吐出工程とを含むことを特徴とする製膜方法。
IPC (5):
H05K 3/10
, G02F 1/1343
, H01L 21/288
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (5):
H05K 3/10 D
, G02F 1/1343
, H01L 21/288 Z
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
F-Term (36):
2H092MA10
, 2H092MA22
, 2H092MA35
, 2H092NA15
, 2H092NA16
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092NA29
, 2H092PA01
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104DD51
, 5E343AA02
, 5E343AA12
, 5E343AA22
, 5E343AA26
, 5E343BB16
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB25
, 5E343BB44
, 5E343BB48
, 5E343BB72
, 5E343BB75
, 5E343DD15
, 5E343ER32
, 5E343FF05
, 5E343GG06
, 5E343GG08
, 5E343GG11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
パターン形成方法および基板製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-008016
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
金属電極の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-319902
Applicant:松下電器産業株式会社
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