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J-GLOBAL ID：200903054142647980

窒化物系化合物半導体装置

Inventor： 寺口 信明
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997018007
Publication number (International publication number)：1998214998
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 窒化物系族化合物半導体装置において、窒化物系化合物半導体は、極めて熱的、化学的に安定な材料であるため、金属電極とほとんど反応しないため、金属電極が剥がれ易いと言った機械的強度に問題があった。従って、本発明の目的は、剥離などのない機械的強度の大きい電極構造を有する半導体装置を提供することである。【解決手段】 窒化物系化合物半導体からなるコンタクト層の上に金属電極が形成された窒化物系化合物半導体装置において、前記コンタクト層は、前記金属電極側より多結晶から単結晶へ結晶性を変化させたものである窒化物系化合物半導体装置を提供する。

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物半導体からなるコンタクト層の上に金属電極が形成された窒化物系化合物半導体装置において、前記コンタクト層は、前記金属電極側に向かって単結晶から多結晶へ結晶性を連続的に変化させたことを特徴とする窒化物系化合物半導体装置。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体の電極材料及び半導体レーザー素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-033139   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211793   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭57-013757
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 1996年(平成8年)秋季第57回応用物理学会学術講演会予稿集, 19960907, 第1分冊 10a-ZF-9, p.298