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J-GLOBAL ID：200903054168965620

プラズマ処理の終点検出方法及び装置、並びに本検出方法及び装置を用いた半導体製造方法及び装置、並びに本検出方法及び装置を用いて製造された半導体素子

Inventor：
中田 俊彦

About 中田 俊彦

, 
二宮 隆典

About 二宮 隆典


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995272318
Publication number (International publication number)：1997115883
Application date： Oct. 20, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】本発明の目的は、被処理パターンの微細化や外乱の影響を受けることなく、プラズマ処理の終点が常に安定かつ高精度に検出可能な、プラズマ処理の終点検出方法及びその装置、並びに本検出方法及び装置を用いた半導体製造方法及び装置、並びに本検出方法及び装置を用いて製造された半導体素子を提供することにある。【解決手段】プラズマ発光24から活性種の発光波長成分27を取り出し、更に同期検波回路30等によりプラズマ励起用高周波電力と同期した周波数成分のみを抽出する構成とすることにより、上記目的が達成される。【効果】活性種の発光波長成分の中から、プラズマ励起用高周波電力と同期した周波数成分のみを抽出することにより、プラズマ処理の進行状況がより正確に捉えられ、終点での信号変化が明瞭になり、微小開口パターンのプラズマ処理の終点検出精度が向上するという効果を有する。
Claim (excerpt)：
被処理体にプラズマを用いた処理を施す際に、前記プラズマ中において特定波長で発光する活性種の発光強度を検出し、該発光強度の周期的時間変動の振幅の変化から、前記プラズマ処理の終点を検出することを特徴とするプラズマ処理の終点検出方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (3)：
H01L 21/302 E ,  C23F 4/00 F ,  H01L 21/302 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-339479   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
  • プラズマ処理の終点検出方法およびその装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-031702   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
  • 処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-038507   Applicant：東京エレクトロン株式会社
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