半導体膜形成用基板及びそれを用いた半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997078671
Publication number (International publication number)：1998303442
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】薄膜結晶シリコン太陽電池等の半導体装置を簡便に安価に製造できるとともに特性の優れた半導体装置を得るための半導体膜形成用基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明の半導体膜形成用基板は、基体1上に、アルミニウム,マグネシウム,及びカルシウムの少なくとも1種を含有する結晶酸化物層4、及び結晶シリコン層5,6を順次積層して成る。

Claim (excerpt)：

基体の主面上に、アルミニウム,マグネシウム,及びカルシウムの少なくとも1種を含有する結晶酸化物層と、結晶シリコン層とを順次積層して成り、前記結晶シリコン層上に半導体膜が被着形成される半導体膜形成用基板。

IPC (3)：

H01L 31/04 , H01L 27/12 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L 31/04 H , H01L 27/12 D , H01L 29/78 626 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

多結晶シリコンデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-050844 Applicant：キヤノン株式会社
光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-078606 Applicant：京セラ株式会社
光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-078607 Applicant：京セラ株式会社

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