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J-GLOBAL ID：200903054249977045

抵抗変化型不揮発性メモリ、抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法、記録方法、再生方法、消去方法、抵抗変化材料微細構造体および抵抗変化材料微細構造体の製造方法

Inventor： 石田 祐一 ,  磯辺 千春 ,  広中 克行 ,  鈴木 真之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 森 幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004042849
Publication number (International publication number)：2005236003
Application date： Feb. 19, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】 電子線リソグラフィーや電子線の直接描画を用いずに低コストで高密度の不揮発性メモリを実現する。 【解決手段】 Si基板等の基板11上に形成したPt等の電極15上にナノホール13を有するナノテンプレート層12を形成した後、ナノホール13の内部にCrドープSrTiO3 等の抵抗変化材料を充填してナノドット14を形成する。ナノテンプレート層12は、Al薄膜を陽極酸化したり、ドット状凝集部と他の凝集部とからなるブロックコポリマーを形成した後、そのドット状凝集部を除去することにより形成する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

電極上に抵抗変化材料からなる微細なドットを有する ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。

IPC (3)：

H01L27/10 ,  B82B1/00 ,  G11C13/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  B82B1/00 ,  G11C13/00 A

F-Term (18)：

5F083FZ02 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-600308   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• ナノ構造体、その製造方法および磁気デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-091952   Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (3)

• ナノ構造体、その製造方法および磁気デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-091952   Applicant：キヤノン株式会社
• ナノシリンダー・アレイ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-569064   Applicant：ユニバーシティーオブマサチューセッツ
• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-600308   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション