化合物半導体積層構造を含むデバイスの作成方法及び化合物半導体積層構造の作成方法及びそれを用いて作成するデバイス及びそれを用いた光送信器及びそれを用いた光通信システム

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997228860
Publication number (International publication number)：1998152399
Application date： Aug. 11, 1997
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】結晶中のV族元素と窒素を置換させる方法を用いた、化合物半導体結晶の作成方法、それを用いて作製された光半導体装置である。【解決手段】化合物半導体積層構造を含むデバイスの作成方法において、V族を含む化合物半導体結晶の、このデバイスの機能層の少なくとも一部となる部分に、少なくとも窒素を含む材料を照射して、照射した部分のV族元素を窒素に置換する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体積層構造を含むデバイスの作成方法であって、V族を含む化合物半導体結晶の、このデバイスの機能層の少なくとも一部となる部分に、少なくとも窒素を含む材料を照射して、該照射した部分のV族元素を窒素に置換することを特徴とするデバイスの作成方法。

IPC (4)：

C30B 29/40 502 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (4)：

C30B 29/40 502 D , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-296210 Applicant：株式会社日立製作所
窒化化合物半導体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-009691 Applicant：三洋電機株式会社
GRIN-SCH型導波路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-046450 Applicant：株式会社フジクラ

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