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J-GLOBAL ID:200903054307139195
誘導結合されたプラズマを用いて基板をエッチングするための装置および方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001511711
Publication number (International publication number):2003505868
Application date: Jun. 06, 2000
Publication date: Feb. 12, 2003
Summary:
【要約】誘導結合されるプラズマ(14)を用いて、基板(10)、殊にシリコン基板をエッチングするための方法およびこの方法を実施するのに適した装置が提案される。このために、ICP源(13)によって高周波の交番的な電磁界が発生され、これがリアクタ(15)において反応性粒子から誘導結合されたプラズマ(14)を発生する。その際誘導結合されたプラズマ(14)は高周波の交番的な電磁界を反応性ガスに作用させることによって生じる。更に、ICP源(13)によって誘導結合されたプラズマ(14)に高周波の交番的な電磁界を介して入力結合されたプラズマ電力をパルス化することができる装置が設けられているので、少なくとも一時的に、パルス化された高周波電力がプラズマ電力として誘導結合されたプラズマ(14)に入力結合することができる。パルス化されたプラズマ電力は更に、パルス化された磁界および/またはパルス化された基板電極電力と組み合わせるかまたは相関付けることができる。
Claim (excerpt):
誘導結合されたプラズマ(14)を用いて基板(10)、例えばシリコン基体をエッチングするための装置であって、高周波の交番的な電磁場を生成するためのICP源(13)と、該高周波の交番的な電磁場を反応ガスに作用させることによって反応粒子から誘導結合されたプラズマ(14)を生成するためのリアクタ(15)を備えている形式のものにおいて、前記ICP源(13)によって、前記誘導結合されたプラズマ(14)に入力結合すべきプラズマ電力パルスを生成することができる第1の手段が設けられていることを特徴とする装置。
IPC (3):
H01L 21/3065
, H01J 37/32
, H05H 1/46
FI (3):
H01J 37/32
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 B
F-Term (7):
5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004CA03
, 5F004DA18
, 5F004DA26
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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プラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-177071
Applicant:松下電子工業株式会社
-
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-028526
Applicant:ソニー株式会社
-
誘導結合プラズマ反応器のRF電力ソースの自動周波数同調装置及び方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-028142
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
Cited by examiner (3)
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プラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-177071
Applicant:松下電子工業株式会社
-
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-028526
Applicant:ソニー株式会社
-
誘導結合プラズマ反応器のRF電力ソースの自動周波数同調装置及び方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-028142
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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