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J-GLOBAL ID：200903008662508663

プラズマ処理方法

Inventor： 林 重徳 ,  山中 通成 ,  大國 充弘
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997177071
Publication number (International publication number)：1999026433
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ中の解離反応を抑制した高精度プラズマ処理を実現する。【解決手段】 プラズマ生成室1に、高密度プラズマ源、たとえばマルチスパイラルコイル3を用いた誘導結合型プラズマ源を設け、パルス発生器11により電源5をオン/オフ変調して高周波電力を供給する。変調周期を20〜200μ秒、オン時間/変調周期を0.3〜0.7の範囲で制御することで高精度な、あるいはオン時間/変調周期を時間的に変化させることで高速かつ高精度なエッチング処理方法を行うことが可能となる。

Claim (excerpt)：

真空室に供給された反応ガスを、前記真空室に供給される高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマで前記真空室内の試料を加工するプラズマ処理方法であって、前記高周波電力をオンオフ変調し、前記高周波電力のオンオフ変調周期に対するオン時間の割合を0.1〜0.8の範囲とすることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 A ,  H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-244688   Applicant：アネルバ株式会社
• プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-205282   Applicant：ソニー株式会社
• マグネトロン発振出力制御装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-188479   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭64-073620
  
• 特開昭59-171491
  
• 表面処理方法および表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-045258   Applicant：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-277370   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• プラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-175090   Applicant：株式会社日立製作所