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J-GLOBAL ID:200903054328050690
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996006382
Publication number (International publication number):1996253555
Application date: Jan. 18, 1996
Publication date: Oct. 01, 1996
Summary:
【要約】【課題】半田耐熱性、難燃性、高温信頼性に優れ、かつ成形性のバランスがとれた半導体封止用樹脂組成物を得ること。【解決手段】エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および充填剤(C)を必須成分としてなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂(A)が4,4 ́-ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテルの化学構造を有し、ビフェニル骨格に結合している水素原子のうち平均0.8〜3.2個が炭化水素基によって置換されているエポキシ樹脂(A ́)を含有し、充填剤(C)を組成物全体の87〜98重量%含有し、ブロム化合物が組成物全体の0.3重量%以下であり、アンチモン化合物が組成物全体の0.3重量%以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Claim (excerpt):
エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および充填剤(C)を必須成分としてなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂(A)が4,4 ́-ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテルの化学構造を有し、ビフェニル骨格に結合している水素原子のうち平均0.8〜3.2個が炭化水素基によって置換されているエポキシ樹脂(A ́)を含有し、充填剤(C)を組成物全体の87〜98重量%含有し、ブロム化合物が組成物全体の0.3重量%以下であり、アンチモン化合物が組成物全体の0.3重量%以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (6):
C08G 59/24 NHQ
, C08G 59/24 NJW
, C08K 3/00
, C08L 63/00 NKT
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (5):
C08G 59/24 NHQ
, C08G 59/24 NJW
, C08K 3/00
, C08L 63/00 NKT
, H01L 23/30 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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半導体封止用樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-014822
Applicant:住友ベークライト株式会社
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半導体封止用エポキシ樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-237170
Applicant:東レ株式会社
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