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J-GLOBAL ID：200903054462208780

薄膜半導体装置の作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
竹村 保彦

About 竹村 保彦


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995086458
Publication number (International publication number)：1996255916
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 良好な特性を示す薄膜トランジスタ(TFT)を提供する。【構成】 絶縁表面上に、400Å以上の厚さの非晶質シリコン膜を形成し、これにニッケル等の触媒金属元素を添加して、熱アニールすることにより、結晶化せしめ、さらに、これにレーザー光等の強光によって、光アニールを施す。その後、該シリコン膜の表面を化学的機械的研磨法(CMP法)によって、研磨することにより、シリコン膜表面の突起を無くし、また、該突起部に集中する触媒金属元素をも除去する。かくして、シリコン膜の平坦性が高まり、この上に絶縁膜を形成した場合でも、十分な耐圧が得られ、また、シリコン膜の信頼性も向上する。
Claim (excerpt)：
(1)絶縁表面上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、(2)前記シリコン膜を触媒金属元素を用いた、熱アニールを施すことにより、結晶化せしめる工程と、(3)前記シリコン膜に光アニールを施す工程と、(4)前記シリコン膜に化学的機械的研磨法を施すことにより、表面の凹凸の二乗平均の平方根(RMS)が膜厚の10%以下、もしくは、凸部と凹部の高さの差が膜厚の25%以下となるようにする工程と、(5)前記シリコン膜を覆って、絶縁膜と導電膜とを堆積する工程とを有することを特徴とする薄膜半導体装置の作製方法
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (3)：
H01L 29/78 627 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-040522   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 薄膜トランジスタの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331176   Applicant：カシオ計算機株式会社
  • 特開昭64-050468
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Cited by examiner (5)
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-040522   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 薄膜トランジスタの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331176   Applicant：カシオ計算機株式会社
  • 特開昭64-050468
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