半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996321026
Publication number (International publication number)：1998150220
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 n電極を取り付けるためのエッチング工程を必要としない安価な半導体発光素子を提供する。【解決手段】導電性であり、かつ発光素子の発光する光を透過させる基板1の一の面の一部を被覆してn電極6が取り付けられる。基板の他の面の上には、基板側からn型の第1の半導体層2、発光層3及びp型の第2の半導体層4を順次積層してなる発光素子構造が形成される。p型の第2の半導体層4にはその実質的な全面を被覆してp電極5が取り付けられる。

Claim (excerpt)：

GaN系の化合物半導体で形成される発光素子であって、導電性であり、かつ前記発光素子の発光する光を透過させる基板と、該基板の一の面の一部を被覆して取り付けられるn電極と、前記基板の他の面の上に形成される発光素子構造であって、前記基板側からn型の第1の半導体層、発光層及びp型の第2の半導体層が順次積層され、前記第2の半導体層の上にp電極と、を備えてなる半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

p型GaN系半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-162473 Applicant：三菱電線工業株式会社
炭化ケイ素発光ダイオード素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-296700 Applicant：三洋電機株式会社
特開平3-245579

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