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J-GLOBAL ID：200903054492908299
エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996207756
Publication number (International publication number)：1998041311
Application date： Jul. 18, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 Siエピタキシャル層から金属不純物が有効に除去されているエピタキシャルSi基板と白傷欠陥の少ない固体撮像装置とを提供する。【解決手段】 Si基板11に5×1013原子cm-2以上のドーズ量で炭素14をイオン注入すると共に炭素14以上のドーズ量で酸素15をイオン注入した後に、Siエピタキシャル層17を形成してエピタキシャルSi基板18を製造する。炭素14と酸素15との化合物がSi基板11中に形成されてゲッタシンクになり、Siエピタキシャル層17から金属不純物が有効に除去され、エピタキシャルSi基板18に形成される固体撮像装置は白傷欠陥が少ない。
Claim (excerpt)：
1×1018原子cm-3以上のピーク濃度を有する炭素とこの炭素以上のピーク濃度を有する酸素とを含むシリコン基板と、このシリコン基板の表面上に積層されているシリコンエピタキシャル層とを有することを特徴とするエピタキシャルシリコン基板。
IPC (3)：
H01L 21/322
, H01L 21/02
, H01L 27/148
H01L 21/322 J
, H01L 21/02 B
, H01L 27/14 B
Cited by examiner (10)
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Article cited by the Patent：
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