Pat
J-GLOBAL ID:200903054505553568
トランジスタ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石島 茂男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999258687
Publication number (International publication number):2001085685
Application date: Sep. 13, 1999
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】パワーMOSFETの面積縮小化が可能になる技術を提供する。【解決手段】本発明のパワーMOSFET1はトレンチ型であって、ソース領域27は基板表面51と、溝18の内周面52の両方で露出している。このため、ソース領域27は基板表面51のみならず、溝18の内周面52でソース電極膜29とコンタクトをとることができるので、基板表面のみで十分に低抵抗なソースコンタクトをとるため、ソース領域27の形成面積を大きくしていた従来に比して、素子の面積を小さくすることができる。
Claim (excerpt):
第1導電型のドレイン層と、前記ドレイン層上に配置され、前記第1導電型とは異なる導電型である第2導電型の反対導電領域とを有する半導体基板と、前記半導体基板の前記反対導電領域側から形成され、前記ドレイン層に達する溝と、前記反対導電領域内に形成され、前記溝の内周面に露出する第1導電型のソース領域と、前記溝の内周面に形成され、前記ドレイン層と前記反対導電領域と前記ソース領域とに亘って配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に密着して配置されたゲート電極膜と、前記ゲート電極膜とは絶縁して配置され、少なくとも前記ソース領域の前記溝内周面に露出する部分と接触したソース電極膜とを有するトランジスタ。
FI (4):
H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 655 D
, H01L 29/78 655 C
Patent cited by the Patent:
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