Pat
J-GLOBAL ID：200903084438819155

埋め込みゲートを有するMOSゲート装置およびその製造方法

Inventor：
クリストファー・ココン

About クリストファー・ココン

, 
ジュン・ゼング

About ジュン・ゼング


Applicant, Patent owner：
インターシル コーポレーション

About インターシル コーポレーション


Agent (1)： 柏原 三枝子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000044636
Publication number (International publication number)：2000252468
Application date： Feb. 22, 2000
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】トレンチゲート構造を有するMOSトランジスターを提供する。【解決手段】 改良されたトレンチMOSゲート装置は、上にドープされた層を配置したモノクリスタル半導体基体201を具える。この上側層は上側表面上に重くドープされた第1の極性を有し、ドレイン領域203の上に横たわる複数の本体領域を具える。上側層は、さらに、その上側表面に、本体領域の極性と逆の第2の極性を得る重くドープされた複数のソース領域を含む。ゲートトレンチ207は前記上側層の上側表面214からドレイン領域203まで延在しており、位置のソース領域を次の領域から隔離している。トレンチは誘電材料でできた層を具えるフロア209およびサイドウオール208を有し、選択されたレベルまで満たされた導電ゲート材料と、ゲート材料210の上に横たわりトレンチを実質的に満たしている誘電材料でできた絶縁層を含む。
Claim (excerpt)：
ドープされたモノクリスタル半導体材料を具える基体と、前記基体の上に配置されドープされた上側層であって、上側表面を有し、その上側表面に第1の極性を有する重くドープされた複数の本体領域を具える上側層を具え、前記本体領域は前記上側層のドレイン領域に横たわっており、前記上側層がさらに前記上側表面に第2の極性を有し前記上側表面から前記上側層内に選択された深さまで延在する重くドープされた複数のソース領域と、前記ソース領域のひとつを次のソース領域から分離しているゲートトレンチとを具え、前記トレンチは前記上側層の上側表面からドレイン領域へ延在しており、前記トレンチは誘電材料でできた層を具えるフロアとサイドウオールを有し、前記トレンチは前記上側層の上側表面のほぼ下に選択されたレベルまでを満たす導電ゲート材料と前記ゲート材料の上に横たわる誘電材料でできた絶縁層で満たされており、前記トレンチ内の前記誘電材料でできた上に横たわる層は前記上側層の上側表面とほぼ共通の平面をなす上側表面を有し、前記基体はモノクリスタルシリコンを具え、前記上側層がエピタキシャル層を具えていることを特徴とする、トレンチMOSゲート装置。
IPC (2)：
H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78
FI (2)：
H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM