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J-GLOBAL ID:200903054550150261
液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物及び半導体の製造法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
後藤 幸久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004362087
Publication number (International publication number):2006169330
Application date: Dec. 14, 2004
Publication date: Jun. 29, 2006
Summary:
【課題】 耐水性に優れ且つ高性能なレジスト膜を形成可能な液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物を提供する。【解決手段】 環状エーテル骨格を含むモノマー単位を含む液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物。前記環状エーテル骨格を含むモノマー単位として、下記式(Ia)〜(Ig)から選択された少なくとも1種のモノマー単位を使用できる。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
環状エーテル骨格を含むモノマー単位を含む液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物。
IPC (4):
C08F 220/28
, C08F 234/02
, G03F 7/039
, H01L 21/027
FI (4):
C08F220/28
, C08F234/02
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
F-Term (28):
2H025AA00
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AR09Q
, 4J100AR09R
, 4J100AR32P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA11R
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100BC53R
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
液浸型露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-121757
Applicant:株式会社ニコン
Cited by examiner (3)
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ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-130385
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-023212
Applicant:住友化学工業株式会社
-
ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-168630
Applicant:富士通株式会社
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