窒化物半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996244701
Publication number (International publication number)：1998093186
Application date： Sep. 17, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【目的】導波路領域にあたる活性層に歪み、格子欠陥以外の欠陥を入りにくくして、レーザ素子の寿命を向上させる。【構成】基板の上にn型層と、活性層と、p型層とを有し、最上層にあるp型層の表面にp電極が設けられてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極には、p電極と電気的に接続されて、p電極よりも面積が大きいボンディング用のパッド電極が形成されており、前記レーザ素子のp電極は、活性層の導波路領域上部に相当するパッド電極の表面と異なるパッド電極の表面でボンディングされている。

Claim (excerpt)：

基板の上にn型層と、活性層と、p型層とを有し、最上層にあるp型層の表面にp電極が設けられてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極には、p電極と電気的に接続されて、p電極よりも面積が大きいボンディング用のパッド電極が形成されており、前記レーザ素子のp電極は、活性層の導波路領域上部に相当するパッド電極の表面と異なるパッド電極の表面でボンディングされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-185284 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220396 Applicant：本田技研工業株式会社
半導体発光素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-202479 Applicant：ローム株式会社

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