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J-GLOBAL ID：200903054584521420

膜パターンの形成方法、薄膜製造装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体

Inventor：
長谷井 宏宣

About 長谷井 宏宣

, 
平井 利充

About 平井 利充


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003303512
Publication number (International publication number)：2004146796
Application date： Aug. 27, 2003
Publication date： May. 20, 2004
Summary：
【課題】 インクジェット法により形成される膜パターンに、断線や短絡等の欠陥の発生を抑止する膜パターンの形成方法及び形成装置、並びに導電膜配線等を提供する。【解決手段】 導電性微粒子を含有した液体からなる液滴を基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、液滴を吐出する前に、基板上に表面処理を行う表面処理工程を備えてなり、表面処理工程によって、基板上の液体に対する接触角が設定される。特に、接触角は、15°以上45°以下に設定される。【選択図】 図18
Claim (excerpt)：
導電性微粒子を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、 前記液滴を吐出する前に、前記基板上に表面処理を行う表面処理工程を備えてなり、 前記表面処理工程によって、前記基板上の前記液体に対する接触角が設定されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
IPC (7)：
H01L21/288 ,  B05C5/00 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L41/09
FI (7)：
H01L21/288 Z ,  B05C5/00 101 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/88 B ,  H01L41/08 J
F-Term (58)：
2H092GA26 ,  2H092GA28 ,  2H092GA32 ,  2H092GA33 ,  2H092HA06 ,  2H092JA26 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA15 ,  2H092NA16 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  4F041AA02 ,  4F041AA05 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  4F041BA13 ,  4F041BA22 ,  4F041BA38 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104GG20 ,  4M104HH14 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033VV15 ,  5F033XX34 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE42 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL07 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許5132248号明細書
Cited by examiner (6)
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