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J-GLOBAL ID：200903054629171221

金属粒子包接薄膜及びその製造方法

Inventor： 熊井 葉子 ,  杉本 憲昭 ,  塚田 浩司 ,  市川 勝 ,  福岡 淳
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  長濱 範明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002264773
Publication number (International publication number)：2004099386
Application date： Sep. 10, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】粒径が均一で、かつ略等間隔で並んだ金属粒子を備える金属粒子包接薄膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜と、前記メソポーラスシリカ薄膜の3d-ヘキサゴナル構造又はキュービック構造の細孔内に所定間隔をもって離隔して形成され、かつ平均粒径が0.5〜50nmである金属粒子と、を備えることを特徴とする金属粒子包接薄膜。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜と、 前記メソポーラスシリカ薄膜の3d-ヘキサゴナル構造又はキュービック構造の細孔内に所定間隔をもって離隔して形成され、かつ平均粒径が0.5〜50nmである金属粒子と、 を備えることを特徴とする金属粒子包接薄膜。

IPC (1)：

C01B37/02

FI (1)：

C01B37/02

F-Term (18)：

4G073BA28 ,  4G073BA32 ,  4G073BA39 ,  4G073BA43 ,  4G073BA47 ,  4G073BD18 ,  4G073BD22 ,  4G073CA07 ,  4G073CZ54 ,  4G073FA15 ,  4G073FB11 ,  4G073FD08 ,  4G073FD24 ,  4G073GA06 ,  4G073GA08 ,  4G073GA11 ,  4G073GA13 ,  4G073UA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• クラスター包接材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-262668   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-309625   Applicant：財団法人化学技術戦略推進機構
• クラスター包接材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-282081   Applicant：株式会社豊田中央研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• メソ細孔薄膜内Pt及びAuナノ細線・粒子の細孔内合成