高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999309625
Publication number (International publication number)：2001130911
Application date： Oct. 29, 1999
Publication date： May. 15, 2001
Summary：

【要約】【課題】表面に周期性を有しない基板上でシリカメソ多孔体の薄膜形成を行った場合においても、広い面積で細孔配列の均一性を高くすることが可能な高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコンアルコキシドを酸性溶媒中で反応させシリコンアルコキシド部分重合体を含む液体を得る部分重合工程と、前記液体に界面活性剤を添加して、前記シリコンアルコキシド部分重合体と該界面活性剤とからなる複合体を形成せしめる複合体形成工程と、前記複合体を含む液体のpHを3以下に調整して複合体安定化物を得る安定化工程と、前記複合体安定化物を含む液体を薄膜化し加熱乾燥して前記複合体安定化物を反応させることにより、前記界面活性剤を含有したシリカメソ多孔体薄膜を形成せしめる薄膜形成工程とを含むことを特徴とする高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

シリコンアルコキシドを酸性溶媒中で反応させシリコンアルコキシド部分重合体を含む液体を得る部分重合工程と、前記液体に界面活性剤を添加して、前記シリコンアルコキシド部分重合体と該界面活性剤とからなる複合体を形成せしめる複合体形成工程と、前記複合体を含む液体のpHを3以下に調整して複合体安定化物を得る安定化工程と、前記複合体安定化物を含む液体を薄膜化し加熱乾燥して前記複合体安定化物を反応させることにより、前記界面活性剤を含有したシリカメソ多孔体薄膜を形成せしめる薄膜形成工程と、を含むことを特徴とする高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法。

F-Term (14)：

4G072AA29 , 4G072BB09 , 4G072BB15 , 4G072FF09 , 4G072GG03 , 4G072HH30 , 4G072JJ14 , 4G072KK17 , 4G072LL15 , 4G072NN21 , 4G072PP17 , 4G072QQ05 , 4G072UU01 , 4G072UU30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

シリカ-界面活性剤ナノ複合体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-105667 Applicant：理化学研究所
酸化珪素被膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-315344 Applicant：松下電工株式会社
シリカ系被覆材及び被覆体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-326518 Applicant：東亞合成化学工業株式会社

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Cited by examiner (7)

シリカ-界面活性剤ナノ複合体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-105667 Applicant：理化学研究所
酸化珪素被膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-315344 Applicant：松下電工株式会社
無機多孔質膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-040816 Applicant：工業技術院長, 株式会社クボタ

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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