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J-GLOBAL ID：200903054662760810

表面加工方法及び表面平滑化方法

Inventor： 伊藤 茂生 ,  山田 公
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 脇 篤夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995148439
Publication number (International publication number)：1996321489
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 例えば半導体等の被加工体のエッチング及び平滑化を容易にする。【構成】 レジスト層15の表面にガスクラスタを照射することによって、レジスト層15にとホールパターンHに形成されるエッジ部EをエッチングしてR形状に加工する。また所定の位置にホールパターンが形成されたレジスト手段が配されている被加工体にガスクラスタを照射することによって、前記被加工体の露出部分のみを平滑化する。

Claim (excerpt)：

被加工体の表面にガスクラスタを照射することによって、上記被加工体に形成されるエッジ部をエッチングしてR形状に加工することを特徴とする表面加工方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H05K 3/08

FI (2)：

H01L 21/302 H ,  H05K 3/08 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• コンタクトホールの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-124323   Applicant：三洋電機株式会社
• ドライエツチング方法及びそのための装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-260376   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭63-038232