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J-GLOBAL ID：200903054677860209

炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置

Inventor：
玉祖 秀人

About 玉祖 秀人

, 
増田 健良

About 増田 健良


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008041658
Publication number (International publication number)：2009200326
Application date： Feb. 22, 2008
Publication date： Sep. 03, 2009
Summary：
【課題】信頼性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、主面110aを含む炭化珪素半導体層110が準備される。そして、炭化珪素半導体層110の主面110aにシリコンをドーピングして、炭化珪素半導体層に110おいてシリコンがドーピングされていない領域よりもシリコン濃度の高い高濃度領域115が形成される。そして、高濃度領域115と接する位置に、シリコンと化合物を生成する材料を含む金属層143、144が形成される。そして、金属層143、144を熱処理して、化合物を含む電極が形成される。【選択図】図8
Claim (excerpt)：
主面を含む炭化珪素半導体層を準備する工程と、 前記炭化珪素半導体層の前記主面にシリコンをドーピングして、前記炭化珪素半導体層において前記シリコンがドーピングされていない領域よりもシリコン濃度の高い高濃度領域を形成する工程と、 前記高濃度領域と接する位置に、シリコンと化合物を生成する材料を含む金属層を形成する工程と、 前記金属層を熱処理して、前記化合物を含む電極を形成する工程とを備えた、炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (7)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (7)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/80 C ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/80 F
F-Term (47)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB03 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD17 ,  4M104DD26 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104HH15 ,  5F102FA01 ,  5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GR07 ,  5F102GR15 ,  5F102GS03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC24 ,  5F140AA10 ,  5F140AB08 ,  5F140BA02 ,  5F140BC06 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK22 ,  5F140BK28 ,  5F140BK34 ,  5F140CB08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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