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J-GLOBAL ID：200903087086438767

オーミック電極構造体、その製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：三好秀和 (外8名) , 三好秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000282532
Publication number (International publication number)：2002093742
Application date： Sep. 18, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 10-7Ωcm2台程度の低いコンタクト抵抗を有する微細且つ信頼性の高いオーミック電極構造体を提供する。【解決手段】 SiC基板1、SiC基板1の表面に形成されたn型SiC領域32、SiC基板1の上に載置されたフィールド絶縁膜5、フィールド絶縁膜5中にn型SiC領域32を露出するように開口された開口部の内部において、フィールド絶縁膜5から一定の間隙(側壁ギャップ)77を隔てて配置された電極膜7、電極膜7とn型SiC領域32の間に配置された加熱反応層8、フィールド絶縁膜5の開口部の内部において、電極膜7の表面に接し、且つフィールド絶縁膜5の上部にまで伸延された配線導体素片9とから構成されている。側壁ギャップ77を構成している一定の間隙は、フィールド絶縁膜5の厚みより小さい値に制御されている。

Claim (excerpt)：

炭化珪素(SiC)基板と、前記SiC基板の表面に選択的に形成されたn型SiC領域と、前記SiC基板の上に載置されたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜中に前記n型SiC領域の表面を露出するように開口された開口部の内部において、前記フィールド絶縁膜から一定の間隙を隔てて配置された電極膜と、前記開口部の内部において、前記フィールド絶縁膜から前記一定の間隙を隔て、且つ前記電極膜と前記n型SiC領域の間に配置された加熱反応層と、前記開口部の内部において前記電極膜の表面に接し、且つ前記フィールド絶縁膜の上部にまで伸延された配線導体素片とからなることを特徴とするオーミック電極構造体。

IPC (13)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/74 , H01L 29/744 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/78 652 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/80 , H01L 21/329

FI (12)：

H01L 21/28 301 F , H01L 21/28 301 S , H01L 21/28 L , H01L 29/78 652 L , H01L 29/72 , H01L 29/74 M , H01L 29/74 C , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 P , H01L 29/80 F , H01L 29/80 V , H01L 29/91 A

F-Term (91)：

4M104AA03 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB21 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD10 , 4M104DD11 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD22 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF01 , 4M104FF13 , 4M104FF28 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG06 , 4M104GG07 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104GG20 , 4M104HH09 , 4M104HH11 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 4M104HH18 , 5F003BH05 , 5F003BM01 , 5F003BP11 , 5F003BP21 , 5F003BP24 , 5F003BP41 , 5F003BP46 , 5F003BZ01 , 5F003BZ02 , 5F003BZ03 , 5F003BZ04 , 5F005AA03 , 5F005AB03 , 5F005AC02 , 5F005AE01 , 5F005AE07 , 5F005AF02 , 5F005AH03 , 5F005AH04 , 5F005BA02 , 5F005BB02 , 5F005GA01 , 5F040DA00 , 5F040DC02 , 5F040EC04 , 5F040EC20 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040EF09 , 5F040EH02 , 5F040EK05 , 5F040FC23 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GC09 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GS04 , 5F102GV07 , 5F102HC07 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

炭化けい素半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-201607 Applicant：富士電機株式会社
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-341568 Applicant：株式会社リコー
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-121530 Applicant：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構

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