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J-GLOBAL ID：200903054779760071
エピタキシャルウェーハ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
猪熊 克彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231025
Publication number (International publication number)：1995062523
Application date： Aug. 23, 1993
Publication date： Mar. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】エピタキシャル層中の微小欠陥(レーザー散乱体)を低密度にする事で、酸化膜耐圧が十分に高く、P-N接合リ-クも少なく、したがってデバイスの歩留りを向上することができる高品質エピタキシャルウェーハを提供する。【構成】基板上にエピタキシャル層を積層したエピタキシャルウェーハにおいて、エピタキシャル層の全域において、レーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上にエピタキシャル層を積層したエピタキシャルウェーハにおいて、前記エピタキシャル層の全域において、レーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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