半導体レーザの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：畑泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999340446
Publication number (International publication number)：2001156399
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 III族原料種の表面マイグレーションを促進することにより、DH構造部の断面形状を平坦化することで、n型多重量子井戸構造を含むダブルへテロ構造部の品質を向上させた半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に2本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、III-V族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記V族の圧力を、13.3Pa乃至400Paとしたことを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に2本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、III-V族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記V族の圧力を、13.3Pa乃至400Paとしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

F-Term (6)：

5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA12 , 5F073DA05 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-266645 Applicant：日本電気株式会社
半導体量子箱構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-000200 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体の製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-114177 Applicant：株式会社リコー

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