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J-GLOBAL ID：200903023111207360

半導体の製造方法及び半導体素子

Inventor：
佐藤 俊一

About 佐藤 俊一


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114177
Publication number (International publication number)：1997283857
Application date： Apr. 11, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】 V族の空孔濃度を高くすることなく、大きなN組成のIII-V族混晶半導体の高品質に形成することを可能にする。【解決手段】 所定の半導体基板41上にNとAsを同時に含んだ複数のV族元素からなる少なくとも一層のIII-V族混晶半導体層を形成する半導体の製造方法において、前記III-V族混晶半導体層を、Nの原料として有機系窒素化合物を用い、Asの原料にAsH3を用い、反応炉中のAsH3分圧を2Pa以上とし、成長中の基板温度を550°C以上として、有機金属気相成長法(MOCVD)により結晶成長させる。
Claim (excerpt)：
所定の半導体基板上にNとAsを同時に含んだ複数のV族元素からなる少なくとも一層のIII-V族混晶半導体層を形成する半導体の製造方法において、前記III-V族混晶半導体層を、Nの原料として有機系窒素化合物を用い、Asの原料にAsH3を用い、反応炉中のAsH3分圧を2Pa以上とし、成長中の基板温度を550°C以上として、有機金属気相成長法(MOCVD)により結晶成長させることを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-297128   Applicant：富士通株式会社
  • 3-5族化合物半導体の気相成長方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-030065   Applicant：住友化学工業株式会社
  • 発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-025587   Applicant：昭和電工株式会社

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