Pat
J-GLOBAL ID:200903054852944518
有機EL表示装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤村 元彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002266449
Publication number (International publication number):2004103488
Application date: Sep. 12, 2002
Publication date: Apr. 02, 2004
Summary:
【課題】比較的低温で作成できる有機薄膜トランジスタ及び有機EL素子を共通の基板上に形成した有機EL表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上に形成されかつ各々が有機EL素子及び有機EL素子に接続された有機薄膜トランジスタを含む複数の発光部とを含む有機EL表示装置において、有機EL素子は、対向する1対の電極と、1対の電極の間に積層された有機発光層を含む有機材料層と、を有する。有機薄膜トランジスタは、対向するソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間にチャネルを形成できるように積層された有機半導体層と、ソース電極及びドレイン電極の間の有機半導体層に電界を印加せしめるゲート電極と、を有する。さらに、有機EL表示装置は、発光部内において、ソース電極及びドレイン電極間の短絡を防止するソースドレイン絶縁膜、有機半導体膜を保護する保護絶縁膜、及び有機EL素子の一方の電極の縁部を覆う画素絶縁膜を備え、ソースドレイン絶縁膜、保護絶縁膜及び画素絶縁膜の少なくとも2つが同一誘電体材料からなる。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
基板と、前記基板上に形成されかつ各々が有機EL素子及び前記有機EL素子に接続された有機薄膜トランジスタを含む複数の発光部と、を含む有機EL表示装置であって、
前記有機EL素子は、対向する1対の電極と、前記1対の電極の間に積層された有機発光層を含む有機材料層と、を有し、
前記有機薄膜トランジスタは、対向するソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極の間にチャネルを形成できるように積層された有機半導体膜と、前記ソース電極及びドレイン電極の間の前記有機半導体膜に電界を印加せしめるゲート電極と、を有し、
さらに、前記発光部内において、前記ソース電極及びドレイン電極間の短絡を防止するソースドレイン絶縁膜、前記有機半導体膜を保護する保護絶縁膜、及び前記有機EL素子の一方の電極の縁部を覆う画素絶縁膜を備え、前記ソースドレイン絶縁膜、前記保護絶縁膜及び前記画素絶縁膜の少なくとも2つが同一誘電体材料からなることを特徴とする有機EL表示装置。
IPC (7):
H05B33/22
, H01L21/312
, H01L21/316
, H01L21/318
, H01L29/786
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (8):
H05B33/22 Z
, H01L21/312 B
, H01L21/316 B
, H01L21/318 C
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 619A
F-Term (61):
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007GA00
, 5F058AA06
, 5F058AA10
, 5F058AC04
, 5F058AF01
, 5F058AF04
, 5F058AF06
, 5F058AH10
, 5F058BA09
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BC11
, 5F058BF02
, 5F058BF12
, 5F058BF17
, 5F058BF46
, 5F058BF47
, 5F110AA17
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110NN02
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN71
, 5F110NN73
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-003037
Applicant:ゼロックスコーポレイション
-
電気光学装置の駆動方法及び電気光学装置及び電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-294717
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-022486
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-069529
Applicant:株式会社日立製作所
-
アクティブ型EL表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-073928
Applicant:三洋電機株式会社
-
液晶表示装置及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-079623
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
アクティブマトリクス型液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-004161
Applicant:株式会社日立製作所
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