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J-GLOBAL ID：200903032054709360

液晶表示装置及びその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  須沢 英臣 ,  小野 幸治 ,  荒尾 達也
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001079623
Publication number (International publication number)：2001345453
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 信頼性の高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】 半導体層は、チャネル形成領域と、LDD領域と、ソース領域及びドレイン領域とを有している。ゲート電極は積層した第1ゲート電極と第2ゲート電極で構成され、チャネル長方向の長さがそれぞれ異なっている。ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行うことにより、ゲート電極の厚さが異なることによるイオンの侵入深さの違いを利用して、半導体層中のイオン濃度が段階的に異なる領域を有するLDD領域を形成する。LDD領域はゲート絶縁膜を間に挟んで前記第1のゲート電極と重なっている液晶表示装置。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接する第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極に接する第2のゲート電極とを有する液晶表示装置であって、前記半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接するLDD領域と、前記LDD領域に接するソース領域及びドレイン領域とを有しており、チャネル長の方向における前記第1のゲート電極の幅は、チャネル長の方向における前記第2のゲート電極の幅より広く、前記LDD領域は前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第1のゲート電極と重なっていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368

FI (6)：

G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 619 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-072675   Applicant：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-204605   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-363444   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• マルチゲート半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-252619   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-223930   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-229990   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所