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J-GLOBAL ID：200903054861131171

SiC単結晶の製造方法

Inventor：
中村 昌照

About 中村 昌照


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (3)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003119952
Publication number (International publication number)：2004323293
Application date： Apr. 24, 2003
Publication date： Nov. 18, 2004
Summary：
【課題】温度勾配を用いずに安定してSiC単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】原料粉末を種結晶に接触させて常温または加熱下にて加圧し、得られた圧粉体を常圧下で熱処理する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
原料粉末を種結晶に接触させて常温にて加圧し、得られた圧粉体を常圧下で熱処理することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (4)：
C30B29/36 ,  C30B1/04 ,  C30B1/12 ,  H01L21/208
FI (4)：
C30B29/36 A ,  C30B1/04 ,  C30B1/12 ,  H01L21/208 Z
F-Term (17)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CA04 ,  4G077CA09 ,  4G077EB05 ,  4G077HA06 ,  4G077JA06 ,  4G077JA08 ,  4G077JB02 ,  4G077JB04 ,  4G077JB07 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053PP20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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