半導体装置の製造方法及びその製造方法による半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：小川勝男 , 田中恭助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003135668
Publication number (International publication number)：2004342733
Application date： May. 14, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】半導体表面に酸化物が生成しないウェットエッチング方法及び半導体装置の高性能化、高信頼化を実現する。【解決手段】化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチング溶液が、6B族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての6B族原子の原子番号が16以上(例えば、化学物質を構成する全ての6B族原子が硫黄原子)のものを用いて化合物半導体のウェットエッチングを行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、該溶液が、6B族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての6B族原子の原子番号が16以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L21/308 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L27/15 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01S5/227

FI (5)：

H01L21/308 A , H01L27/15 A , H01S5/227 , H01L29/72 H , H01L29/80 H

F-Term (38)：

5F003BA92 , 5F003BF06 , 5F003BH07 , 5F003BM03 , 5F003BP11 , 5F003BP93 , 5F043AA03 , 5F043AA04 , 5F043BB06 , 5F043DD12 , 5F073AA26 , 5F073AA74 , 5F073CA15 , 5F073CB02 , 5F073CB11 , 5F073DA23 , 5F073EA23 , 5F073EA28 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS02 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC16 , 5F102HC18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-277623 Applicant：三菱電機株式会社
エッチング液およびエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-135845 Applicant：日本電信電話株式会社
MIS型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135713 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (8)

特開平2-284420
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-277623 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-124839

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