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J-GLOBAL ID：200903054893669998

半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器

Inventor：
北和田 清文

About 北和田 清文


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999257368
Publication number (International publication number)：2001085693
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 LDD構造を有するTFT等におけるLDD構造を形成する際に、マスクずれによる特性のバラツキを吸収できる構造及びその製造方法等を提供する。【解決手段】 不純物が導入されたソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域に不純物が導入された濃度よりも低い濃度で不純物が導入されたLDD領域を具備する半導体装置(TFT等)において、前記ソース・ドレイン領域1d,1eとLDD領域1b,1cとの間の領域に、不純物濃度がソース・ドレイン領域よりも低くかつLDD領域よりも高い中濃度領域1g,1hを設けたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に形成されてなる半導体層に不純物が導入されたソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域に導入された不純物の濃度よりも低い濃度で不純物が導入されたLDD領域を具備する半導体装置の製造方法であって、前記基板上に前記半導体層を形成した後、前記半導体層のうち少なくとも前記LDD領域となる部分及び前記LDD領域に隣接し前記ソース・ドレイン領域の不純物濃度に対し中濃度領域となる部分をマスクで覆い、ソース・ドレイン領域となる部分に不純物を高濃度で導入する工程と、前記LDD領域となる部分をマスクで覆い、中濃度領域となる部分に不純物を中濃度で導入する工程と、前記LDD領域となる部分のマスクを除去した後、LDD領域となる部分に不純物を低濃度で導入する工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1365
FI (2)：
H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500
F-Term (67)：
2H092GA51 ,  2H092HA26 ,  2H092HA27 ,  2H092JA24 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA34 ,  2H092JA35 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092NA01 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA02 ,  2H092PA06 ,  2H092PA07 ,  2H092PA10 ,  2H092PA11 ,  2H092QA07 ,  2H092QA10 ,  2H092RA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD24 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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