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J-GLOBAL ID:200903054923813410

成膜方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005237065
Publication number (International publication number):2007051327
Application date: Aug. 18, 2005
Publication date: Mar. 01, 2007
Summary:
【課題】 結晶質炭素材料又は非晶質炭素材料等の炭素材料からなる基材上に酸化膜又は窒化膜を形成することができる成膜方法を提供する。 【解決手段】 単結晶ダイヤモンド基材上にダイヤモンド薄膜が形成されたダイヤモンド基板等の炭素材料からなる基板の表面に、プラズマ処理、ラジカル処理、薬液処理又はこれらを組み合わせた処理を施すことにより、酸素及び/又は窒素を吸着させる。その後、この酸素及び/又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
炭素材料からなる基板の表面に酸素及び/又は窒素を化学吸着させる工程と、前記基板の酸素及び/又は窒素が吸着された表面上に、有機金属化合物とこの有機金属化合物と反応して金属酸化物を生成する酸化剤とを交互に供給して、前記基板の表面上に金属酸化物からなる酸化膜を積層する工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (4):
C23C 16/02 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (4):
C23C16/02 ,  C30B29/04 V ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B
F-Term (26):
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA20 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA43 ,  4K030CA01 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  5F058BA10 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 成膜方法及び成膜装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-008130   Applicant:株式会社日立製作所
  • アルミナ膜の成膜方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-255723   Applicant:富士通株式会社, 株式会社シー・ヴィ・リサーチ

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