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J-GLOBAL ID:200903054937829866

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大西 健治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998231894
Publication number (International publication number):2000068401
Application date: Aug. 18, 1998
Publication date: Mar. 03, 2000
Summary:
【要約】【目的】 ウエハ状態で形成された複数の半導体素子を個片に分割する際に、容易にかつ確実に分割することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ウエハ10のチップ領域上に突起電極4を形成し、これらチップ領域の境界領域に溝6を形成し、溝6の形成されたウエハ10の表面を樹脂で覆った後に、ウエハ10の裏面を研磨し、この裏面から溝を露出させる。その後、溝の露出している境界領域でウエハを分割する。
Claim (excerpt):
表面に複数の電極を有する半導体チップと、前記表面上に形成され、一端が前記電極と接続される配線と、前記配線の他端と接続された突起電極と、前記突起電極の表面を露出させて前記半導体チップの表面を封止する封止樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/301
FI (4):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 Q
F-Term (6):
5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA21 ,  5F061CB04 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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