基板処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梶原辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999121069
Publication number (International publication number)：2000311862
Application date： Apr. 28, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】原料ガスをウエハに全体にわたって均一に接触させる。【解決手段】ウエハ10群が搬入されるインナチューブ2およびインナチューブ2を取り囲むアウタチューブ3から構成されたプロセスチューブ1と、インナチューブ2内に原料ガス21を導入するガス導入ノズル22と、プロセスチューブ1内を排気する排気口7と、プロセスチューブ1内を加熱するヒータ20とを備えているCVD装置において、インナチューブ2の側壁に大中小の排気孔が25a、25b、25cが上中下段に並べられて開設され、ガス導入ノズル22には複数個の噴出口24が上下のウエハ10、10間に対向して開設され、ガス導入ノズル22の流路断面積は噴出口24群の開口面積の総和よりも大きく設定されている。【効果】原料ガスを各ウエハに均一に接触できるため、成膜状態をウエハ内、ウエハ群内において全体にわたって均一化でき、成膜速度を相対的に向上できる。

Claim (excerpt)：

基板が搬入されるインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されたプロセスチューブと、前記インナチューブ内にガスを導入するガス導入ノズルと、前記プロセスチューブ内を排気する排気口とを備えている基板処理装置において、前記インナチューブの側壁に複数個の排気孔が長手方向に並べられて開設され、これら排気孔の開口面積が前記排気口に対する位置によって変更されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

FI (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D

F-Term (24)：

4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BA40 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030EA11 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030KA04 , 4K030KA09 , 4K030KA23 , 5F045AA06 , 5F045AB03 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045BB03 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045DP19 , 5F045EC02 , 5F045EE20 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EF20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-091931
特開平4-139820
特開昭61-068393

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