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J-GLOBAL ID：200903054977091916

プラズマ加速原子層成膜のシステムおよび方法

Inventor：
石坂 忠大

About 石坂 忠大

, 
山本 薫

About 山本 薫


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008503030
Publication number (International publication number)：2008537979
Application date： Mar. 15, 2006
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：
プラズマ加速原子層成膜(PEALD)処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記PEALD処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップを有する。処理チャンバ内に、第1の処理材料が導入され、処理チャンバ内に、第2の処理材料が導入される。第2の処理材料の導入の間、処理チャンバには、600Wを超える電磁力が結合され、基板の表面での第1および第2の処理材料の間の還元反応を促進するプラズマが発生する。第1の処理材料と第2の処理材料の交互の導入により、基板上に膜が形成される。
Claim (excerpt)：
プラズマ加速原子層成膜(PEALD)処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であって、 前記PEALD処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、 前記処理チャンバ内に第1の処理材料を導入するステップと、 前記処理チャンバ内に第2の処理材料を導入するステップと、 前記基板の表面での前記第1および第2の処理材料の間の還元反応を促進させるプラズマを発生させるため、前記第2の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに600Wを超える電磁力を結合するステップと、 前記第1の処理材料と前記第2の処理材料の交互の導入により、前記基板上に前記膜を形成するステップと、 を有する方法。
IPC (6)：
C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/283 ,  C23C 16/455
FI (6)：
C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/285 C ,  H01L21/283 B ,  C23C16/455
F-Term (76)：
4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA10 ,  4K030BA12 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA21 ,  4K030BA22 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA41 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030CA01 ,  4K030DA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030HA01 ,  4K030JA16 ,  4K030KA41 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH05 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF01 ,  5F045BB09 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 薄膜形成方法
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-612991   Applicant：ゼニテックインコーポレイテッド
  • 薄膜形成方法
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-503921   Applicant：ジニテックインク.

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