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J-GLOBAL ID:200903042514981744
薄膜形成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高田 武志
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002503921
Publication number (International publication number):2003536272
Application date: Jun. 08, 2001
Publication date: Dec. 02, 2003
Summary:
【要約】半導体素子などの製造に必要な薄膜を蒸着する方法が開示されている。反応ガスを時分割的に順次に供給するCVD法に、反応ガスの供給周期に同期されたプラズマを生じさせる発明を応用することにより、半導体素子に用いられる膜のうち通常の化学気相蒸着法では蒸着し難い物質膜を蒸着するか、物質の組成を次第に変えた薄膜を形成し得る。
Claim (excerpt):
プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、 前記反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、 前記反応器内に酸素ガスを供給する段階と、 前記反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/316 X
, C23C 16/40
F-Term (26):
4K030AA03
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA01
, 4K030BA10
, 4K030BA17
, 4K030BA20
, 4K030BA29
, 4K030BA38
, 4K030BA42
, 4K030BA43
, 4K030FA01
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030LA02
, 4K030LA18
, 5F058BA06
, 5F058BC03
, 5F058BC04
, 5F058BC20
, 5F058BF07
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF37
, 5F058BF39
Patent cited by the Patent:
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