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J-GLOBAL ID：200903055019374194

硬質カーボン膜の形成方法

Inventor：
杉山 修

About 杉山 修

, 
宮 行男

About 宮 行男

, 
戸井田 孝志

About 戸井田 孝志


Applicant, Patent owner：
シチズン時計株式会社

About シチズン時計株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995032068
Publication number (International publication number)：1996225944
Application date： Feb. 21, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：
【要約】【構成】 試料11の開口内面に接地電位に接続する補助電極23を挿入するように試料を真空槽13内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口15から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノード31に直流電圧を印加しフィラメント33に交流電圧を印加してプラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成する。【効果】 同電位同士が対向することがなくなり、異常放電であるホロー放電は発生しない。そのため、密着の良好な硬質カーボン膜を試料に形成することができる。開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口中側とで均一な膜厚を形成することができるという効果ももつ。
Claim (excerpt)：
試料の開口内面に接地電位に接続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする硬質カーボン膜の形成方法。
IPC (5)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/32 ,  C23C 16/50
FI (5)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 A ,  C23C 14/06 Z ,  C23C 14/32 A ,  C23C 16/50
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開昭62-182278
  • 特開平4-009471
  • ダイヤモンド薄膜形成装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-123469   Applicant：日本真空技術株式会社
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