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J-GLOBAL ID：200903055117896751

炭素系膜のパターン形成方法

Inventor： 蒲生 秀典 ,  安藤 寿浩
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004264224
Publication number (International publication number)：2006080376
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】炭素系膜のパターンニングを精度よく行うことを可能とする炭素系膜のパターン形成方法を提供すること。【解決手段】基体上に炭素系膜を成膜した基板を用意する工程、前記炭素系膜上に無機レジストパターンを形成する工程、前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、酸素系ガスにハロゲン系ガスを添加したエッチングガスによるドライエッチングによって、前記炭素系膜をエッチングし、炭素系膜をパターニングする工程、及び前記無機レジストパターンをエッチングにより除去する工程を具備することを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基体上に炭素系膜を成膜した基板を用意する工程、 前記炭素系膜上に無機レジストパターンを形成する工程、及び 前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、酸素系ガスにハロゲン系ガスを添加したエッチングガスによるドライエッチングによって、前記炭素系膜をエッチングし、炭素系膜をパターニングする工程 を少なくとも具備することを特徴とする炭素系膜のパターン形成方法。

IPC (1)：

H01L 21/306

FI (1)：

H01L21/302 104Z

F-Term (33)：

4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB00 ,  5F004EA03 ,  5F004EA05 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-186841   Applicant：凸版印刷株式会社

Cited by examiner (3)

• 硬質カーボン膜のパターニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-072772   Applicant：シチズン時計株式会社
• 選択エッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-253319   Applicant：ミシガンステイトユニバーシティー, セイント-ゴベイン/ノートンインダストリアルセラミックスコーポレイション
• 絶縁膜ならびにその絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-148017   Applicant：日本電気株式会社