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J-GLOBAL ID：200903055122205945
窒化物系III-V族化合物半導体発光素子とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997071017
Publication number (International publication number)：1998270801
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体装置において、へき開あるいはエッチング等を用いないで平坦な共振器面あるいはストライプ構造を作製することを目的とする。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体装置において、基板上に選択成長させて形成された六角柱構造の平行となる2つの面を共振器面として用いることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
窒化物系III-V族化合物半導体を積層して形成された窒化物系III-V族化合物半導体発光素子において、前記窒化物系III-V族化合物半導体が六角柱状であり、前記六角柱の平行となる2つの平面を共振器面とする窒化物系III-V族化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
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半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-065546
Applicant：株式会社日立製作所
Article cited by the Patent：
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