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J-GLOBAL ID：200903055137175929

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 足立 秀人 ,  福久 敏哉 ,  木戸口 勲 ,  大仲 清司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994183336
Publication number (International publication number)：1996046291
Application date： Aug. 04, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 素子抵抗の低い面発光レーザを提供する。特に格子不整合系において、欠陥の少ない活性層を有する面発光レーザを提供する。【構成】 サファイア基板101上にMOCVD法によりn型GaN/AlN半導体多層膜からなる第1の反射器102を積層する。次に第1の絶縁膜103をCVD法により約4000オングストローム堆積する。直径10μmの円形部分を残してレジストエッチングマスクを形成する。ドライエッチングにより前記第1の反射器102が露出するまで前記第1の絶縁膜103をエッチングする。続いてMOCVD法によりInGaNからなる活性層104を選択成長する。活性層104は微小領域に成長されるのでサファイア基板との格子不整合による応力歪みが外部へ拡散され、欠陥の少ない結晶を積層することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に、半導体多層膜で構成され第1の伝導型を有する第1の反射器を積層する工程と、前記第1の反射器上に第1の絶縁膜を積層する工程と、前記第1の絶縁膜の一部を除去し前記第1の反射器の表面を露出する工程と、前記第1の反射器の露出した部分に半導体結晶からなる活性層を選択成長する工程と、半導体多層膜で構成され第2の伝導型を有する第2の反射器を積層する工程を備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 面発光レーザダイオードの製造方法,及び面発光レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-223329   Applicant：三菱電機株式会社
• 面発光半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-084772   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-168543   Applicant：日本電気株式会社