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J-GLOBAL ID:200903055238960597

テーパ導波路集積半導体レーザとその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994263760
Publication number (International publication number):1996125279
Application date: Oct. 27, 1994
Publication date: May. 17, 1996
Summary:
【要約】【目的】 単一モード光ファイバとの光の結合が容易で、高性能なテーパ導波路集積型半導体レーザを、高い製造歩留まりで提供すること。【構成】 (1)テーパ導波路の幅と厚さをそれぞれ活性層の幅、厚さよりも小さく設定し、また(2)部分的な不純物拡散工程、および選択成長法によって作製する、手法を採用した。これによってテーパ導波路での伝搬損失が十分抑制され、単一モードファイバとの結合の容易な半導体レーザが、高い製造歩留まりで提供できるようになった。
Claim (excerpt):
発光再結合する活性層と、光ファイバとの光結合を容易にする出力テーパ導波路とが同一基板上にモノリシックに集積されたテーパ導波路集積型半導体レーザにおいて、前記テーパ導波路が埋め込み構造となっており、その幅、厚さがそれぞれ前記活性層の幅、厚さよりも小さいことを特徴とするテーパ導波路集積型半導体レーザ。
IPC (3):
H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/13
FI (2):
G02B 6/12 B ,  G02B 6/12 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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