導波路集積素子の製造方法,及び導波路集積素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：早瀬憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994250634
Publication number (International publication number)：1996116135
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体層の層厚の制御を精度良く行い、格子歪みの発生による結晶品質の劣化を招くことがなく、このため波長の制御も正確に行うことができ、かつ容易な方法で作製できる導波路集積素子,及びその製造方法を得る。【構成】 (100)面方位を有する基板1の表面に、[011]方向のストライプ状のリッジ5を形成し、リッジ5の幅は、レンズ領域Lではテーパ状にその幅を変化させる。この基板1上にMOCVD法により半導体層3,42,4を、リッジ5上では(111)B面を側面とする形状に成長し、導波路層42の幅を元のリッジ5の幅より狭く形成する。この後、導波路層42を埋め込むようにp-InPクラッド層4を成長し、上記導波路付LDを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、[011]方向に沿った,かつその幅がテーパ状に変化している部分を有するリッジを形成する工程と、上記リッジの,幅がテーパ状に変化している部分上に、光導波路層を含む層構造を成長し、その層構造中にその幅がテーパ状に変化する導波路レンズ部を形成するようにする工程とを備え、テーパ状光導波路を有する導波路集積素子を作製することを特徴とする導波路集積素子の製造方法。

IPC (5)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 21/208 , H01L 21/428 , H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-122585
特開平2-119285
特開平3-022582

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