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J-GLOBAL ID：200903055244266805

高密度フッ化物焼結体およびその製造方法並びにそれを用いた半導体製造装置用部材

Inventor： 松之迫 等 ,  伊東 裕見子 ,  松本 秀美 ,  高坂 祥二
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998260446
Publication number (International publication number)：2000086344
Application date： Sep. 14, 1998
Publication date： Mar. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】耐食性に優れた高密度フッ化物焼結体およびパーティクルの発生を抑制しうる高密度フッ化物焼結体およびその製造方法並びにそれを用いた半導体製造装置用部材を提供する。【解決手段】Mg、Ca、SrおよびBaの群から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属の高密度フッ化物焼結体であって、前記アルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金属換算で100ppm以下、平均粒径が30μm以下、かつ相対密度95%以上とする。

Claim (excerpt)：

Mg、Ca、SrおよびBaの群から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属のフッ化物からなり、前記アルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金属換算で100ppm以下、前記フッ化物の結晶粒子の平均粒径が30μm以下であり、かつ相対密度が95%以上であることを特徴とする高密度フッ化物焼結体。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-227766
  
• 特開昭64-042348
  
• 透光性フッ化バリウム焼結体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-197835   Applicant：住友電気工業株式会社
• 高密度ラジカル反応による高能率加工方法に用いる回転電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-177682   Applicant：新技術事業団