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J-GLOBAL ID：200903055292709212

剥離ウエーハの再生処理方法及び再生処理された剥離ウエーハ

Inventor： 桑原 登 ,  三谷 清 ,  楯 直人 ,  中野 正剛 ,  チリー バージュ ,  クリストファー マルヴィーユ
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  エス オー アイ テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999338137
Publication number (International publication number)：2001155978
Application date： Nov. 29, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 再生処理した剥離ウエーハに熱処理を施してもパーティクルが発生せず、再生されたウエーハの品質が高く、歩留りが良い剥離ウエーハの再生処理方法及び再生されたウエーハを提供する。【解決手段】 イオン注入剥離法によって結合ウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハを再生処理する方法において、前記剥離ウエーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後、ウエーハ表面を研磨する。具体的には、剥離ウエーハの少なくとも面取り部のエッチング処理及び/または面取り加工をした後、研磨する。あるいは、前記剥離ウエーハを熱処理した後、研磨する。

Claim (excerpt)：

イオン注入剥離法によって結合ウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハを再生処理する方法において、前記剥離ウエーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後、ウエーハ表面を研磨することを特徴とする剥離ウエーハの再生処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/306 B

F-Term (6)：

5F043AA09 ,  5F043BB01 ,  5F043DD01 ,  5F043DD12 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-114176   Applicant：信越半導体株式会社, エスオーアイテックエス・エー
• 半導体基体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-264386   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246594   Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 半導体基板の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-045441   Applicant：キヤノン株式会社