電力用半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997124017
Publication number (International publication number)：1998313010
Application date： May. 14, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】チップ表面の保護膜にクラックを生じた場合であっても、信頼性が低下してしまうことを防止する。【解決手段】チップ1に形成された多数のMOSFETセルのゲート端子はゲートポリシリコン配線2によりゲートアルミニウム配線3に共通接続され、ソース端子はソースアルミニウム配線6により共通接続されている。ゲートポリシリコン配線2の形成領域は、ソースアルミニウム電極3の形成領域下方内に設定されている。チップ1は基板にフリップチップ実装されると共に、チップ1と基板との間に樹脂が充填される。このような構造のものでは、チップ1表面を保護するパッシベーション膜10においてバンプ電極の周囲から発生したクラックがソースアルミニウム配線6からはみ出して深さ方向に侵入することがあるものの、そのクラックがゲートポリシリコン配線2に到達することはない。

Claim (excerpt)：

チップに形成された多数のMOS構造のトランジスタセルの電圧制御用端子を内部配線を介してコンタクト部でチップ上に形成された線状金属配線と共通接続し、各キャリア供給端子を上記内部配線の形成領域上方に絶縁状態で形成された面状金属配線と共通接続し、且つチップ表面を保護膜で被覆した構造の電力用半導体チップの少なくもチップ表面が樹脂により封止して構成される電力用半導体装置において、前記内部配線の形成領域は、前記面状金属配線の形成領域下方内に設定され、前記コンタクト部は、前記面状金属配線の形成領域下方外において前記保護膜のクラック発生予想部位から外れた部位に対応して形成され、前記内部配線は、前記コンタクト部形成領域のみに延設されて前記線状金属配線と接続されていることを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/321 , H01L 21/3205 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/92 602 L , H01L 21/88 T , H01L 21/92 602 Z , H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-133807 Applicant：三洋電機株式会社
縦型構造トランジスタ及びその製造方法、並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-192261 Applicant：シャープ株式会社
電力用半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-049138 Applicant：日本電装株式会社

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