半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993218865
Publication number (International publication number)：1995074172
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】多層配線構造の集積回路等に於いて、金属配線の被覆性やスルーホールでの接触特性,層間膜や保護膜の密着性を改善し、電気特性,歩留りや信頼性の向上を図り、高品質な微細半導体装置の安定供給を可能にする。【構成】第1の金属配線13上の第1のシリコン酸化膜14と第1の塗布ガラス15の所望量をエッチバックしO2プラズマ処理後、第2のシリコン酸化膜16を積層し、金属酸化膜を含む第2の塗布ガラス22をスピンコートしてからフォトリソを行い、第2のシリコン酸化膜16層内だけにウェットエッチでテーパーをつけたスルーホールの開孔を行い、HFとHNO3の混酸でライトエッチをしてから、第2の金属配線17を施す。【効果】層間絶縁膜の構造を規制し、有機塗布ガラスとシリコン酸化膜の密着性の向上を図り、更に寸法精度の良いスルーホールパターンを形成できる。

Claim (excerpt)：

多層配線構造を有する半導体装置に於いて、少なくとも、所望表面に素子領域が形成された半導体基板上に第1の金属配線を形成する工程、第1のシリコン酸化膜を形成する工程、塗布ガラスを積層する工程、該塗布ガラスと第1シリコン酸化膜の所定膜厚をエッチバックする工程、第1のシリコン酸化膜より厚く第2のシリコン酸化膜を積層する工程、フォトレジストをマスクにして第2のシリコン酸化膜の途中まで等方性エッチングし、更に残りの第2シリコン酸化膜と第1のシリコン酸化膜を異方性エッチングしスルーホールを開孔する工程、第2の金属配線を形成する工程を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 A , H01L 21/90 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

特開平2-271630
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-186016 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-042754 Applicant：三洋電機株式会社

Show all

Return to Previous Page